反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):145mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):29.9W,输入电容(Ciss):524pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):11.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 29.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 524pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.251/个 |
| 50+ | ¥0.989/个 |
| 150+ | ¥0.877/个 |
| 500+ | ¥0.736/个 |
| 2500+ | ¥0.674/个 |
| 5000+ | ¥0.637/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.62008
2500 PCS/盘
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