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AP30P10D
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP30P10D
- 商品编号
- C3011470
- 商品封装
- TO-252-3L
- 商品毛重
- 0.0005千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):76pF,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):44.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):3029pF,输出电容(Coss):129pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 输入电容(Ciss) | 3029pF | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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