温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
AP4N65D
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP4N65D
- 商品编号
- C3011405
- 商品封装
- TO-252-3L
- 商品毛重
- 0.0005千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):10.9pF,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):580pF,输出电容(Coss):69.5pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 输出电容(Coss) | 69.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.98/个 |
| 10+ | ¥0.838/个 |
| 30+ | ¥0.703/个 |
| 100+ | ¥0.696/个 |
| 102+ | ¥0.696/个 |
| 104+ | ¥0.696/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.696
2500 PCS/盘
送
换料费券¥300
库存总量
80 PCS电话
顶部
元器件购物车