反向传输电容(Crss):605pF@20V,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,12A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):27.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):52.1W,输入电容(Ciss):6500pF@20V,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 605pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,12A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 6500pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |