导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):40.6nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,输入电容(Ciss):2420pF,输出电容(Coss):99pF,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 输入电容(Ciss) | 2420pF | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |