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AP20N03D-L
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP20N03D-L
- 商品编号
- C3024524
- 商品封装
- TO-252-3L
- 商品毛重
- 0.00047千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):4.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):20.8W,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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