反向传输电容(Crss):190pF@15V,导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2450pF,输出电容(Coss):270pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):0.75V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2450pF | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.75V |