温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
ME20N15
扩展库- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 厂家型号
- ME20N15
- 商品编号
- C2841373
- 商品封装
- TO-252-3L
- 商品毛重
- 0.000462千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@7V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):32.3nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):1.039nF@30V,连续漏极电流(Id):20.8A,阈值电压(Vgs(th)):4.6V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@7V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.039nF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.61 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车