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GV2313-G
扩展库- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 厂家型号
- GV2313-G
- 商品编号
- C2880118
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 商品毛重
- 0.000051千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):300pF@10V,导通电阻(RDS(on)):56mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):2100pF@10V,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 2100pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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