反向传输电容(Crss):75pF@15V,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@1.8V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):510pF@15V,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 75pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.8V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
输入电容(Ciss) | 510pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.144/个 |
200+ | ¥0.111/个 |
600+ | ¥0.0924/个 |
3000+ | ¥0.0815/个 |
9000+ | ¥0.0719/个 |
21000+ | ¥0.0668/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07498
3000 PCS/盘
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