反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1200mW,输入电容(Ciss):200pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1200mW | |
输入电容(Ciss) | 200pF | |
输出电容(Coss) | 80pF | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.138/个 |
200+ | ¥0.108/个 |
600+ | ¥0.0914/个 |
3000+ | ¥0.0757/个 |
9000+ | ¥0.0671/个 |
21000+ | ¥0.0625/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06964
3000 PCS/盘
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