导通电阻(RDS(on)):0.065Ω@10V,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):270W,连续漏极电流(Id):38.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.7V@1.9mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.065Ω@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 270W | |
连续漏极电流(Id) | 38.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@1.9mA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥28.74/个 |
10+ | ¥24.46/个 |
30+ | ¥21.91/个 |
90+ | ¥19.33/个 |
480+ | ¥18.14/个 |
960+ | ¥17.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.1572
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉52.584元