反向传输电容(Crss):259pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):114W,输入电容(Ciss):2293pF,输出电容(Coss):216pF,连续漏极电流(Id):34A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 259pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 114W | |
输入电容(Ciss) | 2293pF | |
输出电容(Coss) | 216pF | |
连续漏极电流(Id) | 34A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |