反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):275mΩ@10V,5.6A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):705pF,连续漏极电流(Id):9.3A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@10V,5.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 705pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.65/个 |
| 10+ | ¥28.16/个 |
| 30+ | ¥25.5/个 |
| 100+ | ¥22.8/个 |
| 500+ | ¥21.55/个 |
| 1000+ | ¥20.99/个 |
整盘
单价
整盘单价¥19.3108
3000 PCS/盘
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