反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):0.065Ω@10V,16A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1200pF,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.065Ω@10V,16A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.67/个 |
| 10+ | ¥3.73/个 |
| 30+ | ¥3.26/个 |
| 100+ | ¥2.79/个 |
| 500+ | ¥2.51/个 |
| 1000+ | ¥2.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.315
3000 PCS/盘
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