反向传输电容(Crss):21.3pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.7Ω@10V,1.75A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):59nC@800V,漏源电压(Vdss):1000V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):1154pF@25V,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 21.3pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,1.75A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 59nC@800V | |
漏源电压(Vdss) | 1000V | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 1154pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |