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N通道,电流:96A,耐压:650V
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STY112N65M5
- 商品编号
- C2965377
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.006558千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):350nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):16870pF,输出电容(Coss):365pF,连续漏极电流(Id):96A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 16870pF | |
| 输出电容(Coss) | 365pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥208.933/个 |
| 3+ | ¥208.933/个 |
| 5+ | ¥208.933/个 |
| 30+ | ¥198.935/个 |
| 34+ | ¥198.935/个 |
| 36+ | ¥198.935/个 |
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整盘
单价
整盘单价¥198.935
30 PCS/盘
库存总量
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