上升时间(tr):470ns,下降时间(tf):350ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:-,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:过压保护(OVP),特性:过热保护(OTP),特性:过流保护(OCP),特性:短路保护(SCP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):0.5V~2.5V,静态电流(Iq):100uA,驱动通道数:-,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 470ns | |
| 下降时间(tf) | 350ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | 0.5V~2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | - |