温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
高速、带DESAT保护的低侧栅极驱动器，适用于汽车应用
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- UCC57108BQDRQ1
- 商品编号
- C22455864
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000275千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):14ns,传播延迟 tpHL:28ns,传播延迟 tpLH:26ns,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:8.5V~26V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):3A,特性:过流保护(OCP),特性:欠压保护(UVP),特性:短路保护(SCP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):0.8V~1.6V,输入高电平(VIH):1.8V~2.6V,静态电流(Iq):0.8mA,驱动通道数:1,驱动配置:低边
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 14ns | |
| 传播延迟 tpHL | 28ns | |
| 传播延迟 tpLH | 26ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | 8.5V~26V | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.6V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.6V | |
| 静态电流(Iq) | 0.8mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 低边 |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥22.24/个 |
| 10+ | ¥18.85/个 |
| 30+ | ¥16.83/个 |
| 100+ | ¥14.79/个 |
| 500+ | ¥13.85/个 |
| 1000+ | ¥13.42/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥13.42
3000 PCS/盘
送
换料费券¥300
库存总量
18 PCS电话
顶部
元器件购物车