上升时间(tr):6ns,下降时间(tf):5ns,传播延迟 tpHL:3us,传播延迟 tpLH:4.5us,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:3V~5.5V,拉电流(IOH):1.5A,灌电流(IOL):3A,特性:欠压保护(UVP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,静态电流(Iq):45uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 传播延迟 tpHL | 3us | |
| 传播延迟 tpLH | 4.5us | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 静态电流(Iq) | 45uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥47.89/个 |
| 10+ | ¥41.19/个 |
| 30+ | ¥37.11/个 |
| 100+ | ¥33.69/个 |
| 102+ | ¥33.69/个 |
| 104+ | ¥33.69/个 |
整盘
单价
整盘单价¥30.9948
1000 PCS/盘
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