上升时间(tr):4ns,下降时间(tf):5.5ns,传播延迟 tpHL:60ns,传播延迟 tpLH:60ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.2V~30V,拉电流(IOH):1.8A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,静态电流(Iq):7.9mA,驱动通道数:1
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 4ns | |
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpHL | 60ns | |
| 传播延迟 tpLH | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.2V~30V | |
| 拉电流(IOH) | 1.8A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 静态电流(Iq) | 7.9mA | |
| 驱动通道数 | 1 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥35.19/个 |
| 10+ | ¥29.94/个 |
| 30+ | ¥26.82/个 |
| 100+ | ¥23.67/个 |
| 500+ | ¥22.21/个 |
| 1000+ | ¥21.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.767
2500 PCS/盘
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