上升时间(tr):70ns,下降时间(tf):30ns,传播延迟 tpHL:220ns,传播延迟 tpLH:680ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:250V,拉电流(IOH):290mA,灌电流(IOL):600mA,特性:-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):1V~2.5V,静态电流(Iq):120uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpHL | 220ns | |
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 250V | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 1V~2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.155/个 |
| 50+ | ¥0.913/个 |
| 150+ | ¥0.809/个 |
| 500+ | ¥0.68/个 |
| 2500+ | ¥0.622/个 |
| 4000+ | ¥0.588/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.54096
4000 PCS/盘
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