ISL6613CBZR5214实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL6613CBZR5214

扩展库
品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
厂家型号
ISL6613CBZR5214
商品编号
C3655694
商品封装
SOIC-8
商品毛重
0.000199千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

上升时间(tr):26ns,下降时间(tf):18ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:0℃~+125℃,工作电压:10.8V~13.2V,拉电流(IOH):1.25A,灌电流(IOL):2A,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):-,驱动通道数:2,驱动配置:半桥

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录栅极驱动芯片
上升时间(tr)26ns
下降时间(tf)18ns
传播延迟 tpHL-
传播延迟 tpLH-
工作温度0℃~+125℃
工作电压10.8V~13.2V
拉电流(IOH)1.25A
灌电流(IOL)2A
特性欠压保护(UVP)
特性过压保护(OVP)
负载类型MOSFET
输入低电平(VIL)-
输入高电平(VIH)-
静态电流(Iq)-
驱动通道数2
驱动配置半桥

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

9.31 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车