上升时间(tr):26ns,下降时间(tf):18ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:0℃~+125℃,工作电压:10.8V~13.2V,拉电流(IOH):1.25A,灌电流(IOL):2A,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):-,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 26ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | 0℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10.8V~13.2V | |
| 拉电流(IOH) | 1.25A | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |