上升时间(tr):25ns,下降时间(tf):25ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:7V~18V,拉电流(IOH):6A,灌电流(IOL):6A,特性:-,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):45uA,驱动通道数:1,驱动配置:低边,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 7V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 45uA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | - |