上升时间(tr):11ns,下降时间(tf):7ns,传播延迟 tpHL:30ns,传播延迟 tpLH:18ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.5V~18V,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.5V,输入高电平(VIH):1.6V~2.5V,静态电流(Iq):380uA,驱动通道数:2,驱动配置:低边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 11ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 18ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.5V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 380uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 低边 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.05/个 |
| 10+ | ¥3.95/个 |
| 30+ | ¥3.88/个 |
| 100+ | ¥3.81/个 |
| 102+ | ¥3.81/个 |
| 104+ | ¥3.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.758
3000 PCS/盘
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