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单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
扩展库- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 厂家型号
- NSG2103
- 商品编号
- C7421062
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000376千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
上升时间(tr):75ns,下降时间(tf):35ns,传播延迟 tpHL:130ns,传播延迟 tpLH:650ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):0.3A,灌电流(IOL):0.6A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2.5V,静态电流(Iq):120uA,驱动通道数:2,驱动配置:低边,驱动配置:高边
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 传播延迟 tpLH | 650ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 0.3A | |
| 灌电流(IOL) | 0.6A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | 高边 |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0924/个 |
| 50+ | ¥1.643/个 |
| 150+ | ¥1.45/个 |
| 500+ | ¥1.21/个 |
| 2500+ | ¥1.103/个 |
| 4000+ | ¥1.0389/个 |
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