上升时间(tr):15ns,下降时间(tf):10ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):250mA,灌电流(IOL):500mA,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:1,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 250mA | |
| 灌电流(IOL) | 500mA | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 高边 |