上升时间(tr):6ns,下降时间(tf):6ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:15V~25V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),特性:过流保护(OCP),特性:短路保护(SCP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):1.1V~1.7V,输入高电平(VIH):1.6V~2.1V,静态电流(Iq):1.44mA,驱动通道数:1,驱动配置:低边,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 15V~25V | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V~1.7V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2.1V | |
| 静态电流(Iq) | 1.44mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | 高边 |