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LM2104DR
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- LM2104DR
- 商品编号
- C22427346
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000138千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):28ns,下降时间(tf):18ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:9V~18V,拉电流(IOH):0.5A,灌电流(IOL):0.8A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.3V,输入高电平(VIH):1.45V~2V,静态电流(Iq):430uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 28ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 0.5A | |
| 灌电流(IOL) | 0.8A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.3V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.45V~2V | |
| 静态电流(Iq) | 430uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.1/个 |
| 10+ | ¥3.36/个 |
| 30+ | ¥2.99/个 |
| 100+ | ¥2.62/个 |
| 500+ | ¥2.4/个 |
| 1000+ | ¥2.29/个 |
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