上升时间(tr):75ns,下降时间(tf):35ns,传播延迟 tpHL:105ns,传播延迟 tpLH:125ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):290mA,灌电流(IOL):600mA,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):70uA,驱动通道数:1,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpHL | 105ns | |
| 传播延迟 tpLH | 125ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 70uA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 高边 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.705/个 |
| 10+ | ¥4.628/个 |
| 30+ | ¥4.0851/个 |
| 100+ | ¥3.551/个 |
| 500+ | ¥3.24/个 |
| 1000+ | ¥3.0705/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.26692
100 PCS/盘
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