上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):50ns,传播延迟 tpHL:150ns,传播延迟 tpLH:680ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):3V,静态电流(Iq):150uA,驱动通道数:-,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 3V | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.516/个 |
| 50+ | ¥1.198/个 |
| 150+ | ¥1.0623/个 |
| 500+ | ¥0.893/个 |
| 2500+ | ¥0.817/个 |
| 5000+ | ¥0.772/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.75164
2500 PCS/盘
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