上升时间(tr):10ns,下降时间(tf):9ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:13V~18V,拉电流(IOH):6.2A,灌电流(IOL):6.2A,特性:欠压保护(UVP),特性:短路保护(SCP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):0.6mA,驱动通道数:1,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | 13V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 6.2A | |
| 灌电流(IOL) | 6.2A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 0.6mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.87/个 |
| 10+ | ¥9.16/个 |
| 30+ | ¥8.1/个 |
| 100+ | ¥7.01/个 |
| 500+ | ¥6.51/个 |
| 1000+ | ¥6.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.989
2500 PCS/盘
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