上升时间(tr):25ns,下降时间(tf):20ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~22V,拉电流(IOH):4.5A,灌电流(IOL):4.5A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~22V | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |