上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:220ns,传播延迟 tpLH:180ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):1.9A,灌电流(IOL):2.3A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):1.6mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 220ns | |
| 传播延迟 tpLH | 180ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.6mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.856/个 |
| 10+ | ¥7.506/个 |
| 30+ | ¥6.66/个 |
| 100+ | ¥5.787/个 |
| 500+ | ¥5.391/个 |
| 1000+ | ¥5.22/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.22
2500 PCS/盘