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WM02DN48M3
扩展库- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 厂家型号
- WM02DN48M3
- 商品编号
- C3030933
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 商品毛重
- 0.000039千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):60nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):515pF,输出电容(Coss):73pF,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 输出电容(Coss) | 73pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
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