反向传输电容(Crss):85pF@10V,导通电阻(RDS(on)):43mΩ@3.3V,3A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):675pF@10V,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@3.3V,3A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 675pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |