导通电阻(RDS(on)):140mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.9nC@5V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):28W,输入电容(Ciss):265pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 28W | |
输入电容(Ciss) | 265pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |