反向传输电容(Crss):28pF,导通电阻(RDS(on)):420mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):83W,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):2100pF,输出电容(Coss):87pF,连续漏极电流(Id):9A,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 2100pF | |
| 输出电容(Coss) | 87pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.15/个 |
| 10+ | ¥7.01/个 |
| 30+ | ¥6.92/个 |
| 100+ | ¥6.83/个 |
| 102+ | ¥6.83/个 |
| 104+ | ¥6.83/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.2836
2500 PCS/盘
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