温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMD3N08LR2
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTMD3N08LR2
- 商品编号
- C3279911
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000215千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):0.245Ω@5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):480pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.245Ω@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.128 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车