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SI4564DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4564DY-T1-GE3
- 商品编号
- C3279920
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000214千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):202pF,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):21.7nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.2W,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):2000pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):9.2A,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.028Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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