NP160N055TUK-E1-AY实物图
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NP160N055TUK-E1-AY

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品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
厂家型号
NP160N055TUK-E1-AY
商品编号
C3281630
商品封装
TO-263-6
商品毛重
0.001974千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):490pF,导通电阻(RDS(on)):2.1mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):189nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):11250pF,输出电容(Coss):1160pF,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)490pF
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@10V
工作温度-55℃~+175℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)189nC@10V
漏源电压(Vdss)55V
类型N沟道
耗散功率(Pd)250W
耗散功率(Pd)250W
输入电容(Ciss)11250pF
输出电容(Coss)1160pF
连续漏极电流(Id)160A
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA

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