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NP160N055TUJ-E1-AY
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- NP160N055TUJ-E1-AY
- 商品编号
- C7321208
- 商品封装
- TO-263-6
- 商品毛重
- 0.001974千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,80A,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):180nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):250W,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):10350pF@25V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 10350pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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