反向传输电容(Crss):37pF@50V,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):405W,输入电容(Ciss):10800pF,连续漏极电流(Id):280A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 405W | |
输入电容(Ciss) | 10800pF | |
连续漏极电流(Id) | 280A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |