反向传输电容(Crss):182pF,导通电阻(RDS(on)):0.55mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):233nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):405W,输入电容(Ciss):15580pF,连续漏极电流(Id):530A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 182pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V,80A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 233nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 405W | |
输入电容(Ciss) | 15580pF | |
连续漏极电流(Id) | 530A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.5/个 |
10+ | ¥8.95/个 |
30+ | ¥7.98/个 |
100+ | ¥6.58/个 |
500+ | ¥6.13/个 |
800+ | ¥5.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.461
800 PCS/盘
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