反向传输电容(Crss):217pF,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):160nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):11550pF@25V,输出电容(Coss):2950pF,连续漏极电流(Id):180A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 217pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 300W | |
输入电容(Ciss) | 11550pF@25V | |
输出电容(Coss) | 2950pF | |
连续漏极电流(Id) | 180A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥10.4/个 |
10+ | ¥8.8/个 |
30+ | ¥7.8/个 |
100+ | ¥6.78/个 |
500+ | ¥6.32/个 |
1000+ | ¥6.11/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.6212
1000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉488.8元