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HYG013N04NR1B6
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HYG013N04NR1B6
- 商品编号
- C5632439
- 商品封装
- TO-263-6
- 商品毛重
- 0.001818千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1.1mΩ@10V,60A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):207.9nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):333W,连续漏极电流(Id):377A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V,60A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 207.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 连续漏极电流(Id) | 377A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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