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1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
扩展库- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 厂家型号
- RQ5C025TPTL
- 商品编号
- C3281886
- 商品封装
- TSMT-3
- 商品毛重
- 0.000034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):95mΩ@4.5V,2.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):630pF@10V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V,2.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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