导通电阻(RDS(on)):105mΩ@4.5V,2A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):770pF@6V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V,2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
输入电容(Ciss) | 770pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |