导通电阻(RDS(on)):67mΩ@4.5V,3A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):45V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):510pF@10V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V,3A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
输入电容(Ciss) | 510pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |