反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):480pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 480pF | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.36/个 |
10+ | ¥3.48/个 |
30+ | ¥3.04/个 |
100+ | ¥2.6/个 |
500+ | ¥2.33/个 |
1000+ | ¥2.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.173
3000 PCS/盘
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